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[00107021]高功率碳化硅电力电子器件关键技术研发和产业化

交易价格: 面议

所属行业: 电子元器件

类型: 非专利

技术成熟度: 正在研发

交易方式: 完全转让

联系人: 浙江大学

进入空间

所在地:浙江杭州

服务承诺
产权明晰
资料保密
对所交付的所有资料进行保密
如实描述

技术详细介绍

  核心技术:   碳化硅功率二极管和功率晶体管的器件设计技术、工艺制造技术、功率模块设计技术、封装技术和可靠性技术。   主要技术经济指标   600V、1200V,20A的碳化硅功率二极管,通态压降1.5V~3V;   600V、1200V,5A以上的碳化硅晶体管,通态压降低于3V。   与国内比:碳化硅材料特性优越,碳化硅功率器件(>600V)拥有比目前通用的硅基器件好几百倍的特性。本项目将填补国内碳化硅功率二极管和功率晶体管的研发空白。   与国际比:国际上碳化硅的600V和1200V肖特基二极管成功地产业化,碳化硅功率MOS管的产业化也3年内将实现。本项目的技术指标达到国际前沿水平。   技术产业化的市场前景   技术产品用途及领域:主要用于替代现有的硅基功率器件,用于大功率电力电子装置中。目前硅基功率器件的市值约在1千亿元。碳化硅被公认为是下一代高压大功率电力电子器件,具有巨大的市场前景。   国际市场:在未来3~5年内,国际碳化硅功率器件的市场将由目前的3~4亿元人民币增长到20亿元人民币,年增长率达到70%~80%,具有巨大的市场潜力。   国内市场:国内电力电子器件市场约占国际市场的一半份额。   产业化条件:   本项目拟推荐为产学研重点培育项目,为技术产业化进行技术的研发和知识产权的积累,为3~5年后实现产业化进行提前布局和重点培育。   已有设备或生产线条件:国内由多家硅基功率器件和模块的生产企业,经过升级改造,可以用于碳化硅功率器件的研发、制造和产业化。   新上设备或生产线投入:无   生产技术队伍要求:具有电力电子器件和模块研发、生产和产业化的经验基础,并具备碳化硅功率器件开发和产业化的能力。

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